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I/O接口ESD靜電浪涌防護方案

發表日期:2020-06-13來源:njkaiwei.cn瀏覽:2149

東沃電子設計的I/O接口ESD靜電浪涌防護方案,如下圖:
I、O接口ESD靜電浪涌防護方案.png

從(cong)I/O接口ESD靜電(dian)浪涌(yong)防護(hu)方案(an)圖中可以看出(chu),選用了東沃自主研(yan)發(fa)、生產、銷售(shou)的TVS二(er)極(ji)管(guan)陣列DW05D5-B(SOD-523封裝(zhuang))、DW05DPF-B(0402封裝(zhuang)),浪涌(yong)能力:IEC61000-4-5 1.2/50μs-8/20μs  42Ω  500V;ESD:IEC61000-4-2 4級,接觸放電(dian):8KV,空(kong)氣(qi)放電(dian):15KV。針對I/O接口ESD靜電(dian)浪涌(yong)防護(hu),有很多設計保(bao)護(hu)方案(an)。具(ju)體(ti)選用哪種,還需要結合電(dian)路(lu)的保(bao)護(hu)需求來決定。

想了解更多有關I/O接口ESD靜電浪涌防護方案、TVS二極管陣列型號、參數、特性、規格書及應用,歡迎與東沃電子技術溝通交流:136 7581 6901(微(wei)信(xin)同號(hao))朱工!方案設計、EMC測試、樣品供應、器件定制,東沃一站式為您服務!

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