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Nexperia新添TrEOS系列ESD保護器件:PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM

發表日期:2023-01-06 來源:wnjkaiwei.cn瀏覽:785

國際品牌安世Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶,浪涌抗擾度出眾,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。

ESD封裝東沃.jpg

Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示:“Nexperia開發了TrEOS產品組合,專門用于(yu)為(wei)我們的(de)(de)客戶(hu)提供一系列適用于(yu)USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1和(he)通用閃存等應(ying)用的(de)(de)高性(xing)能(neng)ESD保(bao)護解(jie)決方案。PESD4V0Y1BBSF和(he)PESD4V0X2UM的(de)(de)快速(su)開關速(su)度可(ke)為(wei)高速(su)數據線(xian)提供極為(wei)有效的(de)(de)ESD峰值(zhi)抑制性(xing)能(neng),而其(qi)低觸發電壓(ya)有助于(yu)顯著(zhu)降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脈沖所含的(de)(de)能(neng)量。”

單數據線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝,觸發電壓為6.3V TLP,典型器件魯棒性和電容分別為25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16A 100ns TLP時僅為2.4V,在20A 8/20µs浪涌時僅為3.4V。雙數據線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝,觸發電壓為8V,典型器件魯棒性超過14A 8/20µs,典型器件電容為0.82pF。

雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用,但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5GHz,因此適用于5Gbps時的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。   

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