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LCE33A

LCE33A低電容TVS二極管,東沃電子現貨直供、廠家價格;品質卓越、可靠穩定,與品牌VISHAY、ONSEMI、LITTLEFUSE等媲美;免費測試、免費方案、免費樣品!
供應廠商:DOWO
產品編號:LCE33A
產品範圍:LCE Series
數據手冊:

產品詳情(qing)

  • 封裝:DO-201
  • VBR.MIN(V):36.70
  • VBR.MAX(V):40.60
  • IT(mA):1
  • IR(uA):1
  • VC(V):53.3
  • IPP(A):28
  • C(pF):100
  • VWIB(V):75
  • IIB(mA):1
  • VPIB(V):100
  • VWM(V):33.0

低電容(rong)直插TVS瞬態抑制二極管LCE33A采購,上(shang)專業的東沃電子(zi)DOWOSEMI,現貨直供(gong)(gong)(gong)、品質(zhi)卓越(yue)、可靠穩定,與知名品牌(如VISHAY、ONSEMI、LITTLEFUSE等)媲美。東沃DOWO是壹家專業的保(bao)護器件(jian)供(gong)(gong)(gong)應廠商,種類繁多(duo)、型(xing)號齊全、實(shi)力(li)庫存、交期快、價格美麗(li)、免費(fei)(fei)樣品;免費(fei)(fei)提(ti)供(gong)(gong)(gong)產品選型(xing)服務、EMC測試服務及電路設計(ji)解決整改方(fang)案;同時,還可免費(fei)(fei)預約東沃FAE工程師,壹對(dui)壹上(shang)門提(ti)供(gong)(gong)(gong)技術支持!


選型指南

1)要確定(ding)被(bei)保護電路(lu)中的(de)最大(da)直流或連續工作(zuo)電壓,電路(lu)的(de)額定(ding)標準(zhun)電壓和“高端”容限(xian);

2)TVS管的(de)額定(ding)瞬態(tai)功率要大(da)於電路(lu)中可能出現的(de)最大(da)瞬態(tai)浪(lang)湧功率;

3)TVS管的截(jie)止(zhi)電壓(ya)要大於被保(bao)護(hu)電路的最(zui)高工作電壓(ya);

4)TVS管的最大鉗(qian)位電(dian)壓要小於後級被保護電(dian)路中的損壞(huai)電(dian)壓;

5)確定好TVS管最大箝(qian)位電(dian)壓後,其峰值脈沖電(dian)流(liu)要大於瞬(shun)態浪(lang)湧電(dian)流(liu);

6)對於(wu)數據(ju)接(jie)口的(de)電路保護,還需(xu)註意(yi)選取(qu)具有(you)合適電容的(de)TVS二(er)極管。比如:當信號頻率或傳輸(shu)速(su)率較高時(shi),應選用低電容系列的(de)TVS管;

 

選型事項(xiang)
1)VRWM :在電路正常工作情況下,TVS二極管是不工作的,處於截止狀態,所以TVS二極管的截止電壓應大於被保護電路的最高工作電壓。這樣才能保證TVS在電路正常工作下不會影響電路工作。但是TVS二極管的工作電壓高低也決定了TVS二極管鉗位電壓的高低,在截止電壓大於線路正常工作電壓的情況下,TVS二極管工作電壓也不能選取的過高,如果太高,鉗位電壓也會較高,所以在選擇 VRWM時,要綜合考慮被保護電路的工作電壓及後級電路的承受能力。

2)TVS功率(lv)選型 :TVS二極管(guan)產品(pin)的額定瞬態功率(lv)應(ying)大於電(dian)路中可能(neng)出(chu)現的最大瞬態浪湧功率(lv)。

3)VC鉗位電壓:TVS二極管鉗位電壓應小於後級被保護電路最大可承受的瞬態安全電壓,大多數TVS管的VC與VBR及IPP都成正比。對於同壹功率等級的TVS管,其擊穿電壓越高VC也越高。

4)IR 漏電流:在壹些低功耗電路或高精度采集電路中,IR過大可能導致電路功耗過大或信號的采集精度超標。因低壓(VRWM<10V)TVS管的IR較大,如果後級電路耐受能力較強的話,盡量選擇 10V或以上的TVS管;如果後級電路耐受能力不足,需要選擇小IR且低電壓的TVS管,東沃電子就可以提供這類產品。

5)C結(jie)電(dian)容:TVS管的(de)結(jie)電(dian)容壹(yi)般在幾十(shi)皮法至(zhi)幾十(shi)納法。對(dui)於同壹(yi)功率(lv)等級的(de)TVS管,其電(dian)壓越低,電(dian)容值越大。在壹(yi)些通信線路中,要特別註意TVS管的(de)結(jie)電(dian)容,不能影響電(dian)路正(zheng)常工(gong)作。

6)封裝形式:壹般(ban)來說,TVS管的(de)功率(lv)(lv)從封裝形式上也可以體現,封裝體積(ji)越小,其功率(lv)(lv)壹般(ban)也越小,這(zhe)是因(yin)為TVS管的(de)芯片面積(ji)直接(jie)決定(ding)了TVS管的(de)功率(lv)(lv)等級(ji)。東(dong)沃(wo)電(dian)子的(de)電(dian)路工程師會根(gen)據電(dian)路設計及測(ce)試要求為您選擇合適封裝的(de)TVS二(er)極管。


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