DW05DGCMS-BH-E超低電容ESD靜電保(bao)護二(er)極管，符合AEC-Q101標準，可安全吸收±12 kV 的重復ESD沖擊而不影響性能，并可安全耗散2A的8/20μs 浪涌電流，廣泛應用于在PCB布局尤其具有挑戰性的應用中保護超高速消費電子產品接口免受破壞性靜電放電（ESD）的損壞。

不斷提升的數據速率給需要保持高度信號完整性的設計工程師帶來了巨大挑戰，與其他ESD保護解決方案相比，DW05DGCMS-BH-E的標稱電容要低50%，有益于保持信號的完整性，并將數據丟失率降至最低。同時，提供超過30 GHz的傳輸頻帶，讓信號完整性工程師可創造出高速的數據環境。

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E特性：
? Small Body Outline Dimensions:0.60mm x 0.30 mm
? Low Clamping Voltage
? Ultra Low Capacitance:0.15pF
? Working Voltage: 5 V
? Low Leakage Current
? DFN0603-2L package
? IEC 61000-4-2 (ESD) ±12kV (air), ±12kV (contact)
? IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
? IEC 61000-4-5 (Lightning) 3A (8/20μs)

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E優勢：
1）低于0.15 pF基于硅的ESD保護可實現高達30 GHz的傳輸頻帶，保護超快的數據接口確保高度信號的完整性；
2）采用業內標準的0201DFN封裝，減少寄生電容、電感和電阻，使得TVS二極管陣列更好地融入保護方案；
3）超低寄生電容和電感可改善動態電阻性能，更快、更好地保護電路；

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E應用：
? 超高速數據線路和接口
? 低功率天線端口
? 消費類、移動及便攜式電子產品 
? 平板電腦和帶有高速接口的外部存儲設備 

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