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手機V-charge端口ESD和EOS防護方案整改

發(fa)表日(ri)期:2022-11-10瀏覽:842

針對手機(ji)V-charge端口(kou)防護,有(you)(you)客戶(hu)(hu)反饋,使用單顆12V靜電ESD保護二極(ji)管(guan)(有(you)(you)客戶(hu)(hu)習慣把(ba)ESD二極(ji)管(guan)稱(cheng)為(wei)TVS)作為(wei)端口(kou)浪涌防護器件,浪涌測試后(hou),系(xi)統(tong)開(kai)機(ji)失敗(bai)。為(wei)了(le)解決這個(ge)現象,客戶(hu)(hu)特意(yi)向杭州(zhou)東沃電子(DOWOSEMI)請教這個(ge)問(wen)題(ti),并(bing)希望能夠提出意(yi)見(jian)并(bing)整(zheng)改好好這個(ge)方(fang)案。經過失效分析結果顯示,ESD二極(ji)管(guan)和后(hou)級IC均有(you)(you)損(sun)壞點(dian)。實驗室復現失效,器件表面塑封體(ti)熔融,器件內部芯片呈現較大區域(yu)燒毀(hui)點(dian),確定為(wei)長時間過電壓導致(zhi)失效。

手機V-charge端口.jpg

針對這個現象,東沃電子FAE工程師(shi)提(ti)出(chu)了解決(jue)方法和整改方案,具體詳(xiang)情如下:

1)受(shou)測設備(bei):手機;

2)測試標準:IEC61000-4-5,1.2/50-8/20us,2Ω,EOS 350V, DC 24V;

3)解決(jue)方法:更換24V 靜(jing)電(dian)ESD保護二極管器(qi)(qi)件作為端口浪(lang)涌防護器(qi)(qi)件,并搭載(zai)型號為WP3116的OVP器(qi)(qi)件,浪(lang)涌測(ce)試(shi)等(deng)級可至350V浪(lang)涌等(deng)級測(ce)試(shi),同時滿(man)足DC 24V直(zhi)流(liu)耐壓測(ce)試(shi); 

4)整改后優勢:更換浪涌防護等級更高的24V靜電ESD保護二極管器件進行浪涌防護,同時殘余能量被后級OVP吸收。測試直流耐壓時,靜電ESD保(bao)護二極管不動作,OVP進行過壓關斷,從而起到更好保護。

ESD防護方案.jpg

TVS 1-TVS 3型號:DW05DUCF-E、DW05MUC-E;
TVS 4型號:DW24P4N3-S;
TVS 5型號:DW4.5P4N3-S、DW4.5P4N3-B-S;
OVP型號:WP3116;

手機ESD-3.jpg


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